Infineon mit neuartiger Siliziumkarbid-Lösung für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert
- Innovationssprung in der Hochvolt-Transistor-Technologie: Infineon Entwickler-Team bringt weltweit ersten Siliziumkarbid-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) in der 3300-V-Spannungsklasse zur Serienreife ...