– Beitrag zu höherer Effizienz bei elektrischen Kompressoren für Kraftfahrzeuge und Wechselrichtern für Industrieanlagen –
KYOTO, Japan, 14. November 2024 /PRNewswire/ – ROHM Co., Ltd. hat 1200-V-IGBTs der vierten Generation entwickelt, die für die Automobilindustrie geeignet und für AEC-Q101 qualifiziert sind und klassenführende* verlustarme Eigenschaften mit hoher Kurzschlussfestigkeit kombinieren. Damit sind die Geräte ideal für elektrische Fahrzeugkompressoren, Hochspannungsheizungen und industrielle Wechselrichter. Die aktuelle Produktpalette umfasst vier Modelle der RGA-Serie in diskreten Gehäusen (TO-247-4L und TO-247N) sowie 11 Bare-Chip-Varianten und soll in Zukunft weiter ausgebaut werden.
*ROHM-Studie vom November 2024
Produktseiten
Diskret: https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=1200.0&PS_PackageShortCode=TO-247-4L|TO-247N&CollectorEmitterSaturationVoltage_num=1.6#parametricSearch
Blanke Chips: https://www.rohm.com/products/igbt/igbt-bare-die?SearchWord=sg84#productFamily
Zusätzlich zu diesen Merkmalen erreichen die Geräte eine branchenführende Kurzschlussfestigkeit von 10 Mikrosekunden (Tj=25 Grad C) sowie niedrige Schalt- und Leitungsverluste bei einer hohen Spannungsfestigkeit von 1200 V und erfüllen die Automobilstandards, indem die Bausteinstruktur einschließlich des Peripheriedesigns überarbeitet wurde.
Gleichzeitig kann das neue TO-247-4L-Gehäuse mit seinen vier Anschlüssen eine effektive Spannung von 1100 V in einer Umgebung mit Verschmutzungsgrad 2* aufnehmen, indem es eine angemessene Kriechstrecke zwischen den Pins gewährleistet. Dies ermöglicht die Unterstützung von Anwendungen mit höheren Spannungen als bei herkömmlichen Produkten.
*Der „Verschmutzungsgrad“ gibt den Grad der Verschmutzung in der Umgebung an. 2 bezieht sich auf typische Innenraumumgebungen.
Bild: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202411069433/_prw_PI1fl_CQa0u3n1.jpg
Die Umsetzung von Kriechstreckenmaßnahmen auf der Geräteseite erleichtert den Herstellern den Entwurfsaufwand. Darüber hinaus ermöglicht das TO-247-4L-Gehäuse durch einen Kelvin-Emitteranschluss ein schnelles Schalten, was zu noch geringeren Verlusten führt. Vergleicht man den Wirkungsgrad der neuen TO-247-4L-Gehäuse mit konventionellen und Standardprodukten in einem dreiphasigen Wechselrichter, so verringert sich der Verlust im Vergleich zu Standardprodukten um ca. 24 % und im Vergleich zu konventionellen Produkten um 35 %, was zu einem höheren Wirkungsgrad in Antriebsanwendungen beiträgt.
ROHM wird sein Angebot an Hochleistungs-IGBTs weiter ausbauen, die zu einer stärkeren Miniaturisierung und höheren Antriebseffizienz in Automobil- und Industrieausrüstungsanwendungen beitragen.
Veröffentlichung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2024-11-07_news_igbt&defaultGroupId=false
Produktbild: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202411069433/_prw_PI2fl_leaA4WlX.jpg
Die 1200-V-IGBTs der RGA-Serie von ROHM wurden in die Leistungshalbleitermodule der MiniSKiiP (R)-Serie von Semikron Danfoss mit Nennstromstärken von 10 A bis 150 A aufgenommen.
https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2023-04-25_news_semikron&defaultGroupId=false
MiniSKiiP (R) ist eine Marke oder eingetragene Marke von Semikron Danfoss.
Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202411069433-O1-3tAN6Q1W.pdf
Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202411069433/_prw_PI3fl_cUL0OPOI.jpg
Offizielle Website: https://www.rohm.com/
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Manabu Otani,
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Abteilung für Marketingkommunikation,
ROHM Co.,
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